[发明专利]具有纳米阵列结构的B掺杂MoSe2二维纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201710537864.0 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107364887B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 高大强;夏宝瑞 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C01G39/00 | 分类号： | C01G39/00;B82Y40/00;C25B11/06;C25B1/04 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 孙惠娜 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 一种具有纳米阵列结构的B掺杂MoSe2二维纳米片的制备方法，其具体制备工艺为：a）将碳布分别放入无水丙酮和无水乙醇中超声清洗b）称量MoO2粉末和Se粉末分别放在两个瓷舟中，再称量B2O3粉末放在盛有MoO2粉的瓷舟里与MoO2均匀混合，然后将清洗好的碳布搭在MoO2粉的瓷舟上；c）分别将两个瓷舟放进管式炉的两个温区中；d）同时给管式炉的两个温区进行加热，反应结束后自然冷却至室温即可将碳布取出。本发明通过化学气相沉积，利用B2O3与MoO2混合粉末和Se粉末作为前驱物，获得在碳布上生长具有纳米阵列结构的B掺杂的MoSe2二维纳米片。其中可以通过改变MoO2所在温区的温度来调节碳布纤维上的纳米片排列形貌，还可以通过改变B2O3的用量来改变所得材料中B元素的含量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳布 瓷舟 纳米阵列结构 二维纳米片 温区 称量 制备 掺杂 形貌 化学气相沉积 超声清洗 混合粉末 无水丙酮 无水乙醇 制备工艺 掺杂的 管式炉 纳米片 前驱物 放入 进管 加热 清洗 取出 纤维 生长 | ||
【主权项】：
1.一种具有纳米阵列结构的B掺杂MoSe2二维纳米片的制备方法，其具体制备工艺为：a）将碳布分别放入无水丙酮和无水乙醇中超声清洗，清洗后在酒精中备用；b）称量MoO2粉末和Se粉末分别放在两个瓷舟中，再称量B2O3粉末放在盛有MoO2粉的瓷舟里与MoO2均匀混合，然后将清洗好的碳布搭在MoO2粉的瓷舟上，使碳布平稳地架在MoO2粉末的上方；c）分别将两个瓷舟放进管式炉的两个温区中，将管式炉密封后通以氩气和氢气混合而成的载流气体，载流气体流量为70 SCCM以上，载流气体流动方向为从Se粉末到MoO2粉末；d）当载流气体充满炉管之后，保持载流气体流量为70 SCCM以上，同时给管式炉的两个温区进行加热，Se粉末所在温区加热至520‑550 ℃，MoO2粉末所在温区加热至880‑920 ℃，然后保温使MoO2粉末和Se粉末反应15‑20 min，反应结束后自然冷却至室温即可将碳布取出，得到 具有纳米阵列结构的B掺杂MoSe2二维纳米片。
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