[发明专利]一种多级单元薄膜晶体管存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种多级单元薄膜晶体管存储器及其制备方法，所述存储器的结构从下至上依次设置有：栅电极、电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、有源区以及源、漏电极；其中，所述电荷隧穿层将所述电荷俘获层完全包围，以使所述电荷俘获层与外界完全隔离；所述电荷俘获层的材料为ZnO、In₂O₃、Ga₂O₃、SnO₂、InSnO或IGZO中的任意一种。本发明所制备的薄膜晶体管存储器的电荷俘获层完全被电荷隧穿层包围，与外界完全隔离，防止了在工艺过程中电荷俘获层的物理性质和化学组成发生改变，减少了存储在电荷俘获层中电荷的流失，提高了数据的保持特性和器件性能的稳定性；采用金属氧化物半导体薄膜作为存储器的电荷俘获层，可以实现多级单元存储，提高了存储密度。

主权项

1.一种多级单元薄膜晶体管存储器，其特征在于，所述存储器的结构从下至上依次设置有：栅电极、电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、有源区以及源、漏电极；经过退火制得所述存储器；其中，所述电荷隧穿层将所述电荷俘获层完全包围，以使所述电荷俘获层与外界完全隔离，以防止在退火过程中电荷俘获层的物理性质和化学组成发生改变，减少存储在电荷俘获层中电荷的流失；所述电荷俘获层的材料为ZnO、In2O3、Ga2O3、SnO2、InSnO或IGZO中的任意一种。