[发明专利]一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710539077.X | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107271326B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 赵立波;胡英杰;黄琳雅;李支康;赵玉龙;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N9/24 | 分类号： | G01N9/24;B81B7/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法，包括硅基底、四个弹性固支梁和中间的振子，沿硅基底长度方向的两根导线分别布置在振子两侧的固支梁上。芯片底部外加磁铁用于提供恒定磁场，磁感线方向垂直于芯片平面，将其中一根导线通入一定频率的正弦交变电流，则这根导线所在的固支梁受交变洛伦兹力作用做面内振动，从而带动振子和另外一侧固支梁做受迫振动，则另外一根导线切割磁感线而产生感应电动势。将H型硅微双端固支梁结构浸入被测流体中，改变正弦交变电流的频率使得固支梁发生谐振，根据感应电动势的输出幅值大小可获得固支梁在被测流体中的谐振频率，通过在不同流体中固支梁谐振频率的改变来实现流体密度的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 谐振 mems 流体 密度 传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片，其特征在于，包括H型硅微双端固支梁结构和硅基底(6)；H型硅微双端固支梁结构包括振子(1)、设置于振子(1)两侧的四个弹性固支梁和导线(7～8)；四个弹性固支梁包括第一弹性固支梁(2)、第二弹性固支梁(3)、第三弹性固支梁(4)和第四弹性固支梁(5)；第一弹性固支梁(2)和第二弹性固支梁(3)平行设置于矩形的振子(1)一侧，第三弹性固支梁(3)和第四弹性固支梁(4)平行设置于矩形的振子(1)另一侧；第一弹性固支梁(2)和第四弹性固支梁(5)位于同一直线上；第二弹性固支梁(3)和第三弹性固支梁(4)位于同直线上；振子(1)和四个弹性固支梁呈H型；导线(7～8)包括两条，一条设置于第一弹性固支梁(2)和第四弹性固支梁(5)上，另一条设置于第二弹性固支梁(3)和第三弹性固支梁(4)上；H型硅微双端固支梁结构的四个弹性固支梁末端固定于硅基底(6)的空腔中；所述基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片能够实现面内振动，且与被测流体之间为滑膜阻尼。
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