[发明专利]全溶液加工的磷光分子敏化多层结构量子点发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了全溶液加工的磷光分子敏化多层结构量子点发光二极管及其制备方法。该磷光分子敏化多层结构量子点发光二极管由下至上依次包括透明衬底、透明导电薄膜阳极、空穴注入和阳极修饰层、磷光分子掺杂空穴传输层、量子点活性层、电子传输层和金属阴极。本发明采用正交溶剂法，通过在空穴注入和阳极修饰层与量子点活性层之间旋涂一层磷光分子掺杂PVK作为空穴传输与磷光分子敏化层，实现空穴传输与磷光分子敏化层和量子点活性层之间有效的界面能量转移，改善空穴注入，提高量子点发光二极管的效率。本发明制备方法有利于大面积的量子点发光二极管的制备，与热蒸镀方式相比，具有制备简单、成本低的优势。

主权项

1.一种全溶液加工的磷光分子敏化多层结构量子点发光二极管，其特征在于，由下至上依次包括透明衬底、透明导电薄膜阳极、空穴注入和阳极修饰层、磷光分子掺杂空穴传输层、量子点活性层、电子传输层和金属阴极；所述磷光分子掺杂空穴传输层为磷光分子掺杂PVK的空穴传输与磷光敏化层，磷光分子的掺杂量为5~20wt%；所述磷光分子包括蓝光磷光分子或绿光磷光分子。