[发明专利]存储单元及存储器在审
| 申请号： | 201710541217.7 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109216466A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;刘璐 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种存储单元及存储器，包括：圆柱状半导体衬底，所述衬底包括圆柱状栅极区域、圆柱状源极区域和圆柱状漏极区域，所述圆柱状源极区域和所述圆柱状漏极区域分别位于所述圆柱状栅极区域两侧；环形栅极结构，所述环形栅极结构包裹所述栅极区域；环形源极结构，所述环形源极结构包裹所述圆柱状源极区域；环形漏极结构，所述环形漏极结构包裹所述圆柱状漏极区域。本发明实施例提供了一种存储单元及存储器，缩小了每个存储单元的等效尺寸，提高了存储器的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 圆柱状 存储器 存储单元 漏极区域 源极区域 圆柱状栅极 环形栅极 漏极结构 环形源 衬底 圆柱状半导体 栅极区域 集成度 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，其特征在于，包括：圆柱状半导体衬底，所述衬底包括圆柱状栅极区域、圆柱状源极区域和圆柱状漏极区域，所述圆柱状源极区域和所述圆柱状漏极区域分别位于所述圆柱状栅极区域的两侧；环形栅极结构，所述环形栅极结构包裹所述栅极区域；环形源极结构，所述环形源极结构包裹所述圆柱状源极区域；环形漏极结构，所述环形漏极结构包裹所述圆柱状漏极区域。
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