[发明专利]一种基于钯铜线的半导体键合工艺有效

专利信息
申请号: 201710541340.9 申请日: 2017-07-05
公开(公告)号: CN107256834B 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 廖伟春 申请(专利权)人: 廖伟春
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H05K3/34
代理公司: 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 代理人: 霍如肖
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种基于钯铜线的半导体键合工艺,包括:A.劈刀移至芯片焊盘的位置,使用表面镀钯的纯铜线构成的焊线线材制作第一个焊点的焊球;B.拉线弧,焊线线材被拉起到设定的高度后,从最高点移动到第二个焊点的位置,完成焊线线材的走线;C.劈刀移至PCB板的焊盘的位置,使用焊线线材焊接第二个焊点;其中,制作第一个焊点和第二个焊点时,使用保护气体充盈劈刀及劈刀的周边,保护气体的成分为:95%~99%氮气和1%~5%的氢气,重量百分比。钯铜线的价格只有不到金线价格的10%,可以节约大量的成本;在键合过程中,使用氢气作为保护气,可以将铜从氧化铜里面还原出来;键合工艺参数范围变宽,非常有利于调整到最佳的工艺参数,获得优良的键合效果。
搜索关键词: 一种 基于 铜线 半导体 工艺
【主权项】:
1.一种基于钯铜线的半导体键合工艺,其特征在于,包括:A.劈刀移至芯片焊盘的位置,使用表面镀钯的纯铜线构成的焊线线材制作第一个焊点的焊球;B.拉线弧,焊头带动劈刀往上抬起,所述焊线线材被拉起到设定的高度后,从最高点移动到PCB板第二个焊点的位置,完成所述焊线线材的走线;C.劈刀移至PCB板的焊盘的位置,使用所述焊线线材焊接第二个焊点;其中,制作第一个焊点和第二个焊点时,使用保护气体充盈所述劈刀及劈刀的周边,所述保护气体的成分为:95%~99%氮气和1%~5%的氢气,重量百分比;其中,制作所述第一个焊点的焊球时,包括预烧球阶段获得预烧球;所述预烧球阶段:打火杆尖端与露出劈刀的所述焊线线材之间放电形成一个完整的电流回路,所述电流回路的电流为25~35mA:其中,所述A之前,还包括:A1:在PCB板的焊盘的位置种球,种球包括种球预烧球阶段和烧球阶段,所述种球预烧球阶段电子打火后线尾烧结形成的小球的直径为1.8~2.2mil,所述烧球阶段,打火杆尖端与露出劈刀的所述焊线线材之间放电形成一个完整的电流回路,形成直径为1.8~2.2mil的预植球;所述预植球成为第二个焊点;所述预烧球的直径的3/4以内,所述钯元素所占重量比例低于10%;所述预烧球阶段:使用环形喷嘴从下向上吹向所述焊线线材的端部的周侧,使所述钯元素少向所述预烧球的内部扩散。
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