[发明专利]一种去除高纯氯硅烷痕量杂质的装置和方法在审
| 申请号： | 201710542140.5 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107235494A | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 黄海涛;贾琳蔚;杨强;鲜洪;王劭南 | 申请（专利权）人： | 四川瑞能硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 620040*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去除高纯氯硅烷痕量杂质的装置，包括汽化装置；入口与所述汽化装置出口相连的吸附装置；所述吸附装置内设置有吸附剂；所述吸附剂为硅胶。本发明提供的去除高纯氯硅烷痕量杂质的装置在汽化器之后，还原装置之前添加了吸附装置，同时结合特定的吸附剂对于氯硅烷的杂质进行吸附，特别是对于氯硅烷中磷、硼杂质去除率高，吸附效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 高纯 硅烷 痕量 杂质 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种去除高纯氯硅烷痕量杂质的装置，包括：汽化装置；入口与所述汽化装置出口相连的吸附装置；所述吸附装置内设置有吸附剂；所述吸附剂为硅胶。
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