[发明专利]一种QLED器件及其制备方法、高压处理装置有效
| 申请号： | 201710542314.8 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109216512B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种QLED器件及其制备方法、高压处理装置，其中所述制备方法包括当功能传输层在器件上完成沉积后，在惰性环境下，对所述功能传输层进行高压处理的步骤。本发明通过对功能传输层进行高压处理，使QLED器件中的各功能层材料结合更致密，功能传输层与量子点发光层之间结合的更紧密，减少了界面之间的缺陷，降低了非辐射复合，进一步的提高了载流子的注入效率和复合发光的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 传输层 制备 高压处理装置 高压处理 载流子 致密 非辐射复合 功能层材料 惰性环境 复合发光 注入效率 发光层 量子点 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括当功能传输层在器件上完成沉积后，在惰性环境下，对所述功能传输层进行1-10Mpa的高压处理的步骤。/n
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