[发明专利]扇出型叠层封装结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种扇出型叠层封装结构及其制备方法，包括如下步骤1）提供一载体；2）于载体的上表面形成重新布线层；3）于重新布线层的上表面形成连接焊球，连接焊球与重新布线层电连接；4）于重新布线层的上表面形成第一半导体芯片，第一半导体芯片与重新布线层电连接；5）于重新布线层的上表面形成塑封层，塑封层填满连接焊球与第一半导体芯片之间的间隙，并将连接焊球及第一半导体芯片塑封；6）去除载体；7）于重新布线层的下表面形成焊料凸块，焊料凸块与所述重新布线层电连接。本发明使用连接焊球作为塑封层内连接重新布线层的连接柱，连接焊球可以采用工艺比较成熟的植球工艺直接形成，工艺简单、成本较低。

主权项

一种扇出型叠层封装结构的制备方法，其特征在于，所述扇出型叠层封装结构的制备方法包括如下步骤：1)提供一载体；2)于所述载体的上表面形成重新布线层；3)于所述重新布线层的上表面形成连接焊球，所述连接焊球与所述重新布线层电连接；4)于所述重新布线层的上表面形成第一半导体芯片，所述第一半导体芯片与所述重新布线层电连接；所述第一半导体芯片的上表面低于所述连接焊球的上表面；5)于所述重新布线层的上表面形成塑封层，所述塑封层填满所述连接焊球与所述第一半导体芯片之间的间隙，并将所述连接焊球及所述第一半导体芯片塑封；所述塑封层的上表面不高于所述连接焊球的上表面；6)去除所述载体；7)于所述重新布线层的下表面形成焊料凸块，所述焊料凸块与所述重新布线层电连接。