[发明专利]阵列基板的制作方法在审
申请号: | 201710543887.2 | 申请日: | 2017-07-05 |
公开(公告)号: | CN107146771A | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 胡小波 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种阵列基板的制作方法,包括在基板上形成栅极;在基板的朝向栅极的一侧形成栅极绝缘层,栅极绝缘层覆盖栅极;在栅极绝缘层的远离栅极的一侧依次沉积铟镓锌锡氧化物层和铟镓锌氧化物层;通过第一黄光制程图案化铟镓锌氧化物层和铟镓锌锡氧化物层,以形成保护层和有源层,保护层覆盖有源层;在保护层的远离有源层的一侧沉积金属层;通过第二黄光制程图案化金属层和保护层,以形成源极、漏极以及隔离区,源极和漏极彼此间隔且分别连接于有源层的两端,隔离区形成在保护层上且位于源极与漏极之间。通过上述阵列基板的制作方法所形成的阵列基板的器件性能良好。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在基板上形成栅极;在所述基板的朝向所述栅极的一侧形成栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述栅极;在所述栅极绝缘层的远离所述栅极的一侧依次沉积铟镓锌锡氧化物层和铟镓锌氧化物层;通过第一黄光制程图案化所述铟镓锌氧化物层和所述铟镓锌锡氧化物层,以形成保护层和有源层,所述保护层覆盖所述有源层;在所述保护层的远离所述有源层的一侧沉积金属层;以及通过第二黄光制程图案化所述金属层和所述保护层,以形成源极、漏极以及隔离区,所述源极和所述漏极彼此间隔且分别连接于所述有源层的两端,所述隔离区形成在所述保护层上且位于所述源极与所述漏极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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