[发明专利]二次电池保护电路有效
| 申请号： | 201710545403.8 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107611936B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 安部修平;罗赫辉;黄镐石;金荣奭;安商勋 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社;ITM半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/18 | 分类号： | H02H7/18;H02J7/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟;欧阳琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种二次电池保护电路，其具有：在二次电池和MOS晶体管之间与电源路径连接第1端子；在负载和MOS晶体管之间与电源路径连接的第2端子；与MOS晶体管的栅极连接的第3端子；与MOS晶体管的背栅连接的第4端子；基于二次电池的异常状态使第4端子和第1端子连接的第1开关；及基于二次电池的异常状态使第4端子和第2端子连接的第2开关。介由第1开关被连接了的第4端子和第1端子之间的电阻值或介由第2开关被连接了的第4端子和第2端子之间的电阻值大于MOS晶体管的开启电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种二次电池保护电路，其为藉由对串联插入二次电池和负载之间的电源路径上的MOS晶体管进行控制以保护所述二次电池的二次电池保护电路，所述二次电池保护电路具有：第1端子，在所述二次电池和所述MOS晶体管之间与所述电源路径连接；第2端子，在所述负载和所述MOS晶体管之间与所述电源路径连接；第3端子，与所述MOS晶体管的栅极连接；第4端子，与所述MOS晶体管的背栅连接；异常检测电路，用于检测所述二次电池的异常；控制电路，根据所述二次电池的异常检测结果，输出开关控制信号；及开关控制电路，根据所述控制电路的输出，将用于控制所述MOS晶体管的栅极的栅极控制信号输出至所述第3端子，并且，根据所述控制电路的输出，将用于控制所述MOS晶体管的背栅的电位的背栅控制信号输出至所述第4端子，所述开关控制电路具备：基于所述二次电池的异常状态，使所述第4端子和所述第1端子连接的第1开关；及基于所述二次电池的异常状态，使所述第4端子和所述第2端子连接的第2开关，所述第4端子和所述第1端子介由所述第1开关被连接了的状态下的所述第4端子和所述第1端子之间的电阻值、或所述第4端子和所述第2端子介由所述第2开关被连接了的状态下的所述第4端子和所述第2端子之间的电阻值大于所述MOS晶体管的开启电阻值。
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