[发明专利]一种大直径无双棱线单晶硅的提拉生长方法

摘要

本发明公开了一种大直径无双棱线单晶硅的提拉生长方法，包括熔料、洗晶、引晶、放肩、等径生长、拉脱和冷却；在放肩过程中，控制晶体的自转速度为8‑9rpm，并对晶体的生长速度进行控制：当晶体长度0＜d≤10mm时，晶体的初始生长速度为27‑33mm/h；当晶体长度10＜l≤70mm时，晶体的生长速度为30‑36mm/h；当晶体长度70＜l≤100mm时，晶体的生长速度为28‑34mm/h；当晶体长度100＜l≤130mm时，晶体的生长速度为19‑26mm/h；当晶体长度130＜l≤170mm时，晶体的生长速度为18‑22mm/h；完成放肩控制后，晶体开始等径生长，最后拉脱、冷却。本发明的生长方法，通过对晶体生长转速和放肩过程的控制，生长出的单晶硅无双棱线、Swirl缺陷少且头部含氧量低，提高了产品的品质。

主权项

1.一种大直径无双棱线单晶硅的提拉生长方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将硅晶体原料加入到坩埚中熔化，形成稳定流动的熔体；步骤2：将籽晶自熔体表面上方缓慢下降，将籽晶末端浸入熔体液面以下21‑25mm处，并在25‑35mm距离内反复升降，进行洗晶洗晶处理；步骤3：将洗晶处理后的籽晶移动至熔体中，旋转籽晶，同时向上提拉籽晶，重复8‑12次后完成引晶；步骤4：引晶后，采用向上旋转提拉对晶体生长进行放肩控制，控制所述晶体的自转速度为8‑9rpm，并对晶体的生长速度进行控制：当晶体长度0＜l≤10mm时，晶体的初始生长速度为27‑33mm/h；当晶体长度10＜l≤70mm时，晶体的生长速度为30‑36mm/h；当晶体长度70＜l≤100mm时，晶体的生长速度为28‑34mm/h；当晶体长度100＜l≤130mm时，晶体的生长速度为19‑26mm/h；当晶体长度130＜l≤170mm时，晶体的生长速度为18‑22mm/h；步骤5：晶体开始等径生长，当晶体质量达到一定数值并且不再增加后，增大提拉速度，使晶体与坩埚完全脱离。