[发明专利]一种光电传感器的制备方法及其在铜离子检测中的应用在审

专利信息
申请号: 201710546149.3 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN107389750A 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 张声森;王若男;杨思源;方岳平 申请(专利权)人: 华南农业大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司44245 代理人: 罗啸秋
地址: 510642 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于光电化学检测技术领域,公开了一种光电传感器的制备方法及其在铜离子检测中的应用。将导电基底经预处理后加入到含有钛酸四丁酯的盐酸溶液中,水热合成制备得到TiO2纳米棒阵列,将所得产物经洗涤、干燥后在300‑450℃及空气气氛下焙烧0.5‑3h,然后在300‑450℃温度下以及氢气和惰性气体的混合气氛中氢化处理0.5‑3h,得到氢化的TiO2纳米棒阵列基底,再将其浸泡于含有Cd2+的溶液和硫脲的溶液中,化学沉积得到CdS薄膜,升温至380‑410℃焙烧1‑2h,得到所述光电传感器。本发明的光电传感器可用于铜离子的特异性检测,具有检测范围宽、检测限低的优点。
搜索关键词: 一种 光电 传感器 制备 方法 及其 离子 检测 中的 应用
【主权项】:
一种光电传感器的制备方法,其特征在于包括以下制备步骤:(1)将预处理后的导电基底加入到含有钛酸四丁酯的盐酸溶液中,在140‑190℃条件下水热合成3‑7h,在导电基底上制备得到TiO2纳米棒阵列;(2)将步骤(1)所得TiO2纳米棒阵列经洗涤、干燥后在300‑450℃及空气气氛下焙烧0.5‑3h,然后在300‑450℃温度下以及氢气和惰性气体的混合气氛中氢化处理0.5‑3h,得到氢化的TiO2纳米棒阵列基底;(3)将步骤(2)所得氢化的TiO2纳米棒阵列基底浸泡于含有CdCl2、NH4Cl、硫脲和NH4OH的水溶液中,化学沉积得到CdS薄膜,然后升温至380‑410℃焙烧1‑2h,得到所述光电传感器。
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