[发明专利]半色调掩模和半色调掩模坯有效
申请号: | 201710546156.3 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107589630B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 齐藤隆史 | 申请(专利权)人: | 株式会社SK电子 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;程采 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在现有的多灰阶的半色调掩模中,利用缺陷检查装置检测半透膜上形成的针孔缺陷,并进行修正,因此难以对于例如检测极限以下的细微的针孔缺陷进行修复。本发明提供一种半色调掩模,通过将半色调掩模的半透膜相对于透明基板的相位差设为60度~90度、相对于透明基板的透射率设为20%~50%,能够防止作为被转印体的光致抗蚀剂因特定大小以下的半透膜的针孔而感光,能够降低产品中产生图案缺陷的风险。 | ||
搜索关键词: | 色调 掩模坯 | ||
【主权项】:
一种半色调掩模,其特征在于:该半色调掩模在透明基板上具有遮光膜的图案和半透膜的图案,所述半透膜相对于所述透明基板的透射率为20%~50%,所述半透膜相对于所述透明基板的相位差为60度~90度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社SK电子,未经株式会社SK电子许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710546156.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备