[发明专利]一种Sb掺杂BiCuSeO热电材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710547904.X 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN107394035A 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 樊希安;冯波;江程鹏;李光强;贺铸;李亚伟 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: H01L35/14 分类号: H01L35/14;H01L35/16;H01L35/18;H01L35/22;H01L35/34
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种Sb掺杂BiCuSeO热电材料及其制备方法。其技术方案是按照氧化铋粉∶铜粉∶硒粒∶铋粉∶锑粒的物质的量之比为1∶3∶3∶(1‑3y)∶3y配料,0.005≤3y=x≤0.12,混匀,装入球磨罐中,在惰性气氛条件下球磨,制得单相SbxBi1‑xCuSeO粉末,0.005≤x≤0.12。将所述单相SbxBi1‑xCuSeO粉末装入模具,置于等离子体活化烧结炉内,同时匀速升温至500~700℃和匀速升压30~100MPa,保温保压,再同时匀速降温至常温和匀速降至常压。取出烧结后的模具,脱模,即得Sb掺杂BiCuSeO热电材料。本发明具有工艺简单、生产周期短和生产效率高的特点,所制制品纯度高、致密度较高、热导率较低、功率因子较高和无量纲热电优值较高。
搜索关键词: 一种 sb 掺杂 bicuseo 热电 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种Sb掺杂BiCuSeO热电材料的制备方法,其特征在于所述Sb掺杂BiCuSeO热电材料的化学式为SbxBi1‑xCuSeO,0.005≤x≤0.12,制备方法是:第一步、按照氧化铋粉∶铜粉∶硒粒∶铋粉∶锑粒的物质的量之比为1∶3∶3∶(1‑3y)∶3y配料,0.005≤3y=x≤0.12,然后混合均匀,即得混合粉末;第二步、将所述混合粉末装入球磨罐中,在惰性气氛条件下球磨5~12h,制得单相SbxBi1‑xCuSeO粉末,0.005≤x≤0.12;第三步、将所述单相SbxBi1‑xCuSeO粉末装入模具,置于等离子体活化烧结炉内,然后同时开始匀速升温和匀速升压,同时升至烧结温度为500~700℃和升至烧结压强为30~100MPa,保温和保压的时间均为3~20min,再同时开始匀速降温和匀速降压,同时降至常温和常压;所述匀速升温的速率为20~100℃/min;所述匀速降温的速率为20~50℃/min;第四步、取出烧结后的模具,脱模,即得Sb掺杂BiCuSeO热电材料。
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