[发明专利]一种热电堆式气体流量传感器及其制备方法

摘要

本发明提供一种热电堆式气体流量传感器及其制备方法，结构包括：衬底，具有一凹槽，开设于衬底上表面；第一介质膜，覆盖于凹槽上方，与衬底相连接，且与衬底共同围成一个隔热腔体；加热元件，位于第一介质膜表面；至少两个感测元件，位于第一介质膜上，且设置于加热元件两侧，包括至少一组单晶硅‑金属热偶对组，单晶硅‑金属热偶对组包括若干个单晶硅‑金属热偶对。通过上述方案结合本发明的单硅片单面制作技术，在普通单晶硅片上加工出赛贝克系数最高的P型单晶硅‑金热偶对，并将热偶对以及加热元件通过隔热腔体与衬底隔离，最大程度降低了加热电阻的热耗散，提高了传感器的检测灵敏度。此外，本发明传感器尺寸小、成本低、适于大批量生产。

主权项

1.一种热电堆式气体流量传感器，其特征在于，包括：衬底，具有一凹槽，所述凹槽开设于所述衬底的上表面；第一介质膜，覆盖于所述凹槽上方，且与所述衬底相连接，所述第一介质膜与所述衬底共同围成一个隔热腔体；加热元件，位于所述第一介质膜靠近所述凹槽一侧的表面；以及至少两个感测元件，位于所述第一介质膜上，且设置于所述加热元件的两侧，所述感测元件包括至少一组单晶硅‑金属热偶对组，所述单晶硅‑金属热偶对组包括若干个单晶硅‑金属热偶对；其中，所述单晶硅‑金属热偶对包括单晶硅热偶臂及金属热偶臂，所述单晶硅热偶臂位于所述第一介质膜靠近所述凹槽一侧的表面，所述金属热偶臂包括垂直部及水平部，所述垂直部贯穿所述第一介质膜与所述单晶硅热偶臂相连接，所述水平部与所述垂直部相连接且位于所述第一介质膜远离所述凹槽一侧的表面。