[发明专利]对多级非易失性存储器单元进行编程的方法和存储器装置有效
| 申请号： | 201710550082.0 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107657982B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 奇纳克里希南·巴拉普瑞姆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张川绪;王兆赓 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种对多级非易失性存储器单元进行编程的方法和存储器装置。发明的方面包括一种存储器装置，所述存储器装置具有一个或多个存储器页，所述一个或多个存储器页包括均具有多个可编程的状态级的多个存储器单元。所述存储器装置包括存储器控制逻辑部分，存储器控制逻辑部分包括编程逻辑部分和页层重编程状态元数据。编程逻辑部分可根据页层重编程状态元数据对所述多个存储器单元进行编程。编程逻辑部分可根据页层重编程状态元数据，在所述多个存储器单元的连续的编程操作中，对所述多个存储器单元中的每个的第一状态级、第二状态级和第三状态级进行编程，而在编程操作期间或编程操作之间，不需要任何擦除操作或读取操作。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 非易失性存储器 单元 进行 编程 方法 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包括：一个或多个存储器页，包括多个存储器单元，且所述多个存储器单元中的每个存储器单元具有多个可编程的状态级；存储器控制逻辑部，结合到所述一个或多个存储器页，存储器控制逻辑部包括编程逻辑部和页级重编程状态元数据，其中，编程逻辑部被配置为：根据页级重编程状态元数据的第一值，在所述多个存储器单元的第一编程中，对所述多个存储器单元中的每个存储器单元的与2的第1次幂至第N次幂中的一个或多个相关联的第一状态级进行编程，其中，N是大于等于2的正整数；其中，编程逻辑部被配置为：根据页级重编程状态元数据的第二值，在所述多个存储器单元的第二编程中，对所述多个存储器单元中的每个存储器单元的与2的第2次幂至第N次幂中的一个或多个相关联的第二状态级进行编程，而不会对所述多个存储器单元的中任何一个存储器单元的第一状态级进行读取。
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