[发明专利]一种基于异质结的增强型光辅助场发射电子源及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于异质结构的增强型光辅助场发射电子源的器件，包括阴极电极，在阴极电极上制备的场发射材料层，和覆盖在场发射材料层表面的超薄介质薄膜；所述光辅助场发射电子源将光致电子发射和场致电子发射相结合，发射材料内部电子吸收入射光能量，提升了电子能级，降低了场发射的驱动电场，提高了驱动电场的工作频率和调制灵敏度；所述光辅助场发射电子源的制备方法是在场发射材料层表面覆盖一层超薄超薄介质薄膜，在入射光的激发下，发射材料内部电子获得能量形成热电子，越过肖特基势垒注入到超薄介质薄膜的导带，降低表面真空势垒，进而提高场发射电流，电子的场发射性能得到提升。

主权项

一种基于异质结构的增强型光辅助场发射电子源的器件，包括：阴极电极，用于作为衬底，支撑场发射材料层；在阴极电极上制备的场发射材料层，用于吸收入射光能量，形成热电子；和覆盖在场发射材料层表面的超薄介质薄膜，用于在入射光的调控下降低材料表面有效是类，以增强场发射性能。