[发明专利]减少双玻组件气泡问题的方法及层压结构在审
| 申请号： | 201710550916.8 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107394005A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 崔承舒;杨庆;欧衍聪 | 申请（专利权）人： | 东方环晟光伏（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/048 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司32218 | 代理人： | 刘畅,徐冬涛 |
| 地址： | 214203 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少双玻组件气泡问题的方法，其特征在于层压前增加双玻组件三个位置POE胶膜的克重头部汇流条位置(1)、两个角落沿玻璃边缘位置(2)、尾部汇流条位置(3)。本发明在特殊位置增加POE胶膜克重，使结构特殊的位置POE填充量足够，确保不会出现填充异常导致的气泡。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 组件 气泡 问题 方法 层压 结构 | ||
【主权项】：
一种减少双玻组件气泡问题的方法，其特征在于层压前增加双玻组件三个位置POE胶膜的克重：头部汇流条位置(1)、两个角落沿玻璃边缘位置(2)、尾部汇流条位置(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
