[发明专利]一种中红外双层纳米金属光栅及其制备方法在审
| 申请号： | 201710550964.7 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107290813A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 褚金奎;康维东;曾祥伟;张然;关乐;樊元义 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司21212 | 代理人： | 阎昱辰,李洪福 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种中红外双层纳米金属光栅的制备方法及利用该方法制备获得的中红外双层纳米金属光栅。包括如下步骤制作压印模板，采用热压印工艺复制软模板，将镍硬模板上纳米线栅结构转移复制到软模板上，得到与原镍硬模板结构互补的纳米线栅结构；提供一作为光栅基底的透红外材料；采用滴胶旋涂方式在基底表面旋涂光栅压印胶介质层；转移纳米图案，采用紫外曝光纳米压印工艺，将前述软模板压印到压印胶介质层，使纳米线栅结构转移到光栅压印胶介质层上；利用垂直热蒸镀工艺在上述光栅压印胶介质层纳米线栅结构凸起和凹槽部位沉积金属，完成中红外双层纳米金属光栅的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 双层 纳米 金属 光栅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种中红外双层纳米金属光栅制备方法，其特征在于包括如下步骤：—制作压印模板，采用热压印工艺复制软模板，将镍硬模板上纳米线栅结构转移复制到软模板上，得到与原镍硬模板结构互补的纳米线栅结构；—提供一作为光栅基底的透红外材料；—采用滴胶旋涂方式在基底表面旋涂光栅压印胶介质层；—转移纳米图案，采用紫外曝光纳米压印工艺，将前述软模板压印到压印胶介质层，使纳米线栅结构转移到光栅压印胶介质层上；—利用垂直热蒸镀工艺在上述光栅压印胶介质层纳米线栅结构凸起和凹槽部位沉积金属，完成中红外双层纳米金属光栅的制备。
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