[发明专利]一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710551026.9 申请日: 2017-07-07
公开(公告)号: CN107419333B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 栾彩娜;马瑾;何林安 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;C30B25/18;H01L21/365;H01L31/18;H01L31/0224;H01L33/42
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 陈桂玲
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法。该方法包括采用MOCVD法,以四乙基锡和乙醇铌为金属有机源,以氧气为氧化气体,氮气作为载气,在真空条件下在氟化镁衬底上生长铌掺杂氧化锡单晶薄膜。该氧化锡薄膜是具有单晶结构的外延材料,薄膜内无孪晶和畴结构,铌掺杂氧化锡薄膜的载流子迁移率高达83.8cm2V‑1s‑1,在可见光区的平均透过率达83%。用于制备透明半导体器件或紫外光电子器件。
搜索关键词: 一种 迁移率 掺杂 氧化 锡单晶 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法,采用有机金属化学气相淀积法,以四乙基锡为有机金属Sn源,乙醇铌为有机金属Nb源,用氧气作为氧化气体,用氮气作为载气,在氟化镁衬底上外延生长铌掺杂氧化锡单晶薄膜,其中,Nb掺杂比为1.6~9%atm;所述氟化镁衬底的生长面是(110)晶面;工艺条件如下:反应室压强 10~100 Torr,生长温度 580~700℃,背景N2流量 200~800 sccm,氧气流量 30~100 sccm,有机金属Sn源冷阱温度 10~25℃,有机金属Sn源载气(N2)流量10~40 sccm,有机金属Nb源冷阱温度 60~90℃,有机金属Nb源载气(N2)流量2~10 sccm;氧化锡薄膜的外延生长速率为 3.5~ 5 nm/min。
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