[发明专利]用于处理半导体基板的方法、得到的半导体基板及其用途有效
| 申请号： | 201710551256.5 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107256904B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 吴坚;姚铮;王栩生;蒋方丹;邢国强 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于处理半导体基板的方法，所述方法包括升温阶段和缺陷处理阶段；所述升温阶段施加有激发载流子的手段；所述缺陷处理阶段包括至少2个平台处理阶段，在每个平台处理阶段期间内，处理温度和激发载流子产生率恒定；同时，所述方法至少满足如下条件之一：(1)任意2个平台处理阶段之间，处理温度不同；(2)任意2个平台处理阶段之间，激发载流子产生率不同。本发明通过设置温度和/或激发载流子产生率不同的平台处理阶段，使得所述方法能够将不同形式的缺陷分开进行处理消除，降低相同处理条件造成的缺陷消除的抵消，提高了光致衰减的效果，改善半导体器件的体少子寿命，增加太阳电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 半导体 方法 得到 及其 用途 | ||
【主权项】：
一种用于处理半导体基板的方法，其特征在于，所述方法包括升温阶段和缺陷处理阶段；所述升温阶段施加有激发载流子的手段；所述缺陷处理阶段包括至少2个平台处理阶段，在每个平台处理阶段期间内，处理温度和激发载流子产生率恒定；同时，所述方法至少满足如下条件之一：(1)任意2个平台处理阶段之间，处理温度不同；(2)任意2个平台处理阶段之间，激发载流子产生率不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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