[发明专利]一种磁控管、反应腔室和半导体处理设备有效
| 申请号： | 201710551520.5 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN109207943B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王宽冒;侯珏;蒋秉轩;杨敬山;王涛 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁控管和半导体处理设备。该磁控管包括内磁极和外磁极，外磁极围设在内磁极外围，且外磁极和内磁极相互间隔形成等离子体路径，等离子体路径呈马蹄形，磁控管能使制备形成的膜层厚度均匀性和电阻率均匀性均小于3％。该磁控管通过采用马蹄形的等离子体路径，能使其磁场强度在不同半径区域内的一致性更好；沉积膜层时，从靶材中心和边缘逃逸出的溅射粒子所携带的动能相近，从而使沉积在晶片上不同区域的膜层在成膜模式、膜层成份、结晶程度以及膜层结构等方面均能够达到良好的一致性；进而使膜层的厚度和电阻率都更加均匀，同时还使得膜层的密度及应力得到更加理想的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控管 反应 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁控管，包括内磁极和外磁极，所述外磁极围设在所述内磁极外围，且所述外磁极和所述内磁极相互间隔形成等离子体路径，其特征在于，所述等离子体路径呈马蹄形，所述磁控管能使制备形成的膜层厚度均匀性和电阻率均匀性均小于3％。
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