[发明专利]基于低功函数复合纳米材料的光致热电子发射源及其制备方法在审
申请号: | 201710551522.4 | 申请日: | 2017-07-07 |
公开(公告)号: | CN107424887A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 戴庆;李驰;白冰;李振军;陈科 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | H01J1/13 | 分类号: | H01J1/13;H01J1/148;H01J9/04 |
代理公司: | 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11416 | 代理人: | 庞立岩,顾珊 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种能够提高光致热电子发射源的电子发射效率的基于低功函数热电子发射材料薄膜和光热材料相结合的复合纳米材料光致热电子发射源器件及其制备方法,所述光致热电子发射源包括阴极电极,在阴极电极上制备的光电转换材料层,和覆盖在光热转换材料表面的低功函数热电子发射材料薄膜;将低功函数热电子发射材料薄膜和光热转换材料相结合,既利用了低功函数热电子发射材料薄膜优良的热电子发射性能,又利用了碳纳米管、贵金属纳米颗粒等材料优良的光热转换效率,两种材料通过间接加热的方式实现了两者的优势互补,克服了现有光致热电子源的所需入射光功率高、亮度低等技术缺点。 | ||
搜索关键词: | 基于 函数 复合 纳米 材料 光致热 电子 发射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于低功函数复合纳米材料的光致热电子发射源的器件,包括:阴极电极,在阴极电极上制备的光电转换材料层,和覆盖在光热转换材料表面的低功函数热电子发射材料薄膜。
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