[发明专利]离子注入机工艺能力的监控方法有效
| 申请号： | 201710551898.5 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107256827A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 范世炜;郭国超;张凌越;国子明;姚雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种离子注入机工艺能力的监控方法，通过在裸晶圆表面顺次形成第一氧化层和多晶硅层，并对多晶硅层进行离子注入，在离子注入后的多晶硅层表面再生长第二氧化层，以形成测试晶圆，测试第二氧化层的厚度，通过判断其厚度是否符合控制要求来判断离子注入机的工艺能力，若其厚度满足控制要求，则判定所述离子注入机状况正常，适用于进行离子注入，可进行产品的批量生产；若不满足，则判定所述离子注入机状况异常，不适用于进行离子注入，不可进行产品的批量生产，需要进行调整。本发明提供的离子注入机工艺能力的监控方法简单有效，提高了产品的良率，避免了批量不良品的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 机工 艺能 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入机工艺能力的监控方法，其特征在于，所述离子注入机工艺能力的监控方法包括：提供一裸片晶圆；在所述裸片晶圆上顺次形成第一氧化层和多晶硅层；对所述多晶硅层进行离子注入；在所述多晶硅层上形成第二氧化层，以形成测试晶圆；测试所述测试晶圆的第二氧化层的厚度，并判断所述厚度是否符合控制要求。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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