[发明专利]一种凸块回流方法有效
| 申请号： | 201710552611.0 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN109216218B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡凤萍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种凸块回流方法，所述方法至少包括依次实施的预热、熔融和退火步骤，其中所述方法还包括在所述预热步骤之后实施的表面冷却内部预热步骤、和/或在所述熔融步骤之后实施的表面冷却内部熔融步骤、和/或在所述退火步骤之后实施的表面冷却内部退火步骤。采用本发明的方法，在预热步骤之后增加表面冷却内部预热的步骤、和/或在熔融步骤之后增加表面冷却内部熔融的步骤、和/或在退火步骤之后增加表面冷却内部退火的步骤，解决了现有技术中凸块存在内部空洞和表面裂纹的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 回流 方法 | ||
【主权项】：
1.一种凸块回流方法，其特征在于，至少包括依次实施的预热、熔融和退火步骤，其中所述方法还包括在所述预热步骤之后实施的表面冷却内部预热步骤、和/或在所述熔融步骤之后实施的表面冷却内部熔融步骤、和/或在所述退火步骤之后实施的表面冷却内部退火步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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