[发明专利]闪存的制备方法

摘要

本发明提供了一种闪存的制备方法，包括在衬底上形成第一介质层、浮栅层和第二介质层，再刻蚀所述闪存区的第二介质层、浮栅层和第一介质层形成一开口，在开口的内壁形成隔离侧墙，再沉积源极多晶硅层覆盖第二介质层并填充开口，研磨直至暴露出第二介质层后，不再进行过研磨，而是使用光罩作为掩模，去除逻辑区的源极多晶硅残留，光罩保护着闪存区，所以刻蚀逻辑区的源极多晶硅层时不会对闪存区开口边缘的侧墙造成损伤，从而既减少了逻辑区的源极多晶硅残留，又不会对闪存区造成影响，保证了器件的性能和良率；并且，光罩是在闪存制备的后续工艺中使用的，使用光罩作为掩模，不额外增加工序和成本。

主权项

一种闪存的制备方法，其特征在于，所述闪存的制备方法包括：提供一衬底，所述衬底包括闪存区和逻辑区，所述衬底上依次形成有第一介质层、浮栅层和第二介质层；刻蚀所述闪存区的所述第二介质层、所述浮栅层和所述第一介质层，形成一开口，暴露出衬底；在所述开口的内壁形成侧墙；形成源极多晶硅层，所述源极多晶硅层覆盖所述第二介质层并填充所述开口；对所述源极多晶硅层进行研磨，直至刚好露出所述第二介质层；以光罩为掩模，去除所述逻辑区的源极多晶硅残留。