[发明专利]闪存单元、闪存单元的编程方法及闪存单元的擦除方法

摘要

本发明提供了一种闪存单元、闪存单元的编程方法及闪存单元的擦除方法，所述闪存单元包括形成有N阱的P型衬底和所述N阱上的栅极结构，所述栅极结构包括第一存储位和第二存储位，所述第一存储位和所述第二存储位共享一个字线栅，本发明提供的闪存单元编程功耗低，读取速度快，存储的状态更多。通过在闪存单元的控制栅施加正电压，在位线上施加负电压，从而达到编程的操作，本发明提供的闪存单元的编程方法可以选择编程的存储位，也可以对两个存储位同时进行编程。通过在字线栅上施加正电压，在两个存储位的控制栅上施加负电压，快速擦除信息，所述字线栅的结构产生增强型电子隧穿效应，使用较低的电压就可实现快速擦除的目的。

主权项

一种闪存单元，其特征在于，所述闪存单元包括：P型衬底，所述P型衬底内形成有N阱，所述N阱中形成有P型掺杂区，所述P型掺杂区作为源极和漏极，所述N阱的P型掺杂区上形成有第一位线和第二位线，所述源极与所述第一位线连接，所述漏极与所述第二位线连接；位于所述N阱上的栅极结构，所述栅极结构包括第一存储位、第二存储位和字线栅，所述第一存储位包括第一控制栅和第一浮栅，所述第二存储位包括第二控制栅和第二浮栅；所述第一存储位、所述字线栅和所述第二存储位依次并排排列在所述源极和所述漏极之间。