[发明专利]基于雪崩光电二极管的激光测距放大电路在审
申请号: | 201710554691.3 | 申请日: | 2017-07-10 |
公开(公告)号: | CN107271987A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 钱惟贤;高青松;顾国华;陈钱;杨锦清;李之秀;蔡贵霞 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | G01S7/486 | 分类号: | G01S7/486 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人: | 吴茂杰 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种基于雪崩光电二极管的激光测距放大电路,包括一级放大芯片、二级放大芯片,还包括后极与‑150V电源相连、前极与一级放大芯片的2号端口相连的雪崩光电二极管(APD);一级放大芯片的6号端口通过串联的一级输出电阻(Rs)和二级输入电阻(Ri1),与二级放大芯片的2号端口相连;二级放大芯片的1号端口通过第一输出电阻(Ro1)与输出地端(OUT N)相连,所述二级放大芯片的7号端口通过第二输出电阻(Ro2)与输出相端(OUT P)相连。本发明的基于雪崩光电二极管的激光测距放大电路,带宽宽、增益高,可以大大提高激光测距的精确度。 | ||
搜索关键词: | 基于 雪崩 光电二极管 激光 测距 放大 电路 | ||
【主权项】:
一种基于雪崩光电二极管的激光测距放大电路,包括一级放大芯片、二级放大芯片,其特征在于:还包括雪崩光电二极管(APD),所述雪崩光电二极管(APD)的后极与‑150V电源相连,其前极与一级放大芯片的2号端口相连;还包括一端接地、另一端与一级放大芯片的3号端口相连的第一接地电容(Cc1)、第二接地电容(Cc2)和接地电阻(RC);还包括一端接地、另一端与一级放大芯片的4号端口相连的第三滤波电容(Cb3)和第四滤波电容(Cb4),所述一级放大芯片的4号端口还与‑5V电压相连;所述一级放大芯片的2号端口与6号端口之间还串联一级反馈电阻(Rf);还包括一端接地、另一端与+5V电压相连的第二滤波电容(Cb2)和第一滤波电容(Cb1);所述一级放大芯片的7号端口也与+5V电压相连;所述一级放大芯片的6号端口通过串联的一级输出电阻(Rs)和二级输入电阻(Ri1),与二级放大芯片的2号端口相连;所述二级放大芯片的2号端口与其1号端口之间串联第一二级反馈电阻(Rfb1);所述二级放大芯片的1号端口通过第一输出电阻(Ro1)与输出地端(OUT N)相连,还包括第一优化电阻(Ropt1),其一端接地,另一端接在第一输出电阻(Ro1)与输出地端(OUT N)之间;还包括一端接地、另一端接5V电源的第五滤波电容(Cb5),所述二级放大芯片的4号端口也与5V电源相连;所述二级放大芯片的6号端口通过依次串联的二级输入电阻(Ri2)和平衡电阻(Rs1)接地;所述二级放大芯片的6号端口与其7号端口之间串联第二二级反馈电阻(Rfb2);所述二级放大芯片的7号端口通过第二输出电阻(Ro2)与输出相端(OUT P)相连,还包括第二优化电阻(Ropt2),其一端接地,另一端接在第二输出电阻(Ro2)与输出相端(OUT P)之间;所述二级放大芯片的9号端口通过第七滤波电容(Cb7)与其8号端口相连并接地,二级放大芯片的9号端口通过第六滤波电容(Cb6)与其10号端口相连并接地。
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