[发明专利]HBC型结晶太阳能电池的制造方法及HBC型结晶太阳能电池

摘要

本发明提供HBC型结晶太阳能电池的制造方法及HBC型结晶太阳能电池。该方法按顺序具备以下工序使用由第一导电型的结晶硅构成的基板，在相对于基板位于与光入射的一面相反侧的另一面侧按顺序重叠形成由i型非晶Si层α、与第一导电型不同的导电型的非晶Si层β和第一金属层构成的三层；通过利用掩膜的蚀刻法至少全部去除非晶Si层β和第一金属层而形成凹部；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面的方式形成i型非晶Si层γ；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面上设置的非晶Si层γ的方式形成与所述第一导电型相同的导电型的非晶Si层δ；和以填满由所述非晶Si层δ覆盖而成的凹部内的方式形成第二金属层。

主权项

一种HBC型结晶太阳能电池的制造方法，按顺序具备：使用由第一导电型的结晶硅构成的基板，在相对于所述基板位于与光入射的一面相反侧的另一面侧，按顺序重叠形成由i型的非晶Si层α、与所述第一导电型不同的导电型的非晶Si层β和第一金属层构成的三层的工序；通过利用掩膜的蚀刻法，至少全部去除所述非晶Si层β和所述第一金属层而形成凹部的工序；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面的方式形成i型的非晶Si层γ；通过利用所述掩膜的成膜法，以覆盖所述凹部的内底面和内侧面上设置的非晶Si层γ的方式，形成与所述第一导电型相同的导电型的非晶Si层δ的工序；和以填满由所述非晶Si层δ覆盖而成的凹部内的方式形成第二金属层的工序。