[发明专利]一种脉宽变换电路和延时电路有效

专利信息
申请号: 201710555722.7 申请日: 2017-07-10
公开(公告)号: CN107346963B 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 孔谋夫;陈华磊;张丙可 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03K3/017 分类号: H03K3/017;H03K5/04;H03K5/00
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 孙一峰
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于信号变换技术领域,具体的说是涉及一种脉宽变换电路和延时电路。本发明的基本原理是利用电容对电流源电路产生的恒定电流信号进行积分,采用需要进行脉宽变换的信号控制与电容并联的PMOS管的栅极,以控制电容电压的变化,并通过电压检测电路和整形电路,实现脉宽变换,同时由该脉宽变换电路衍生一种延时电路。本发明的有益效果是:电路结构简单,能够精确对脉宽进行调整,同时能采用小电容实现精准的长延时。
搜索关键词: 一种 变换 电路 延时
【主权项】:
1.一种脉宽变换电路,其特征在于,包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M9、第四PMOS管M10、第五PMOS管M12、第六PMOS管M14、第一NMOS管M3、第二NMOS管M4、第三NMOS管M5、第四NMOS管M6、第五NMOS管M7、第六NMOS管M8、第七NMOS管M11、第八NMOS管M13、第九NMOS管M15、第一电容C1和第一电阻R1;其中,第一PMOS管M1的源极接电源VCC,其栅极与漏极互连;第二PMOS管M2的源极接电源,其栅极接第一PMOS管M1的漏极;第一NMOS管M3的漏极接第一PMOS管M1的漏极,第一NMOS管M3的栅极接第二PMOS管M2的漏极;第二NMOS管M4的漏极和栅极接第二PMOS管M2的漏极;第三NMOS管M5的漏极接第一NMOS管M3的源极,第三NMOS管M5的栅极接第二NMOS管M4的源极,第三NMOS管M5的源极通过第一电阻R1后接地;第四NMOS管M6的漏极和栅极接第二NMOS管M4的源极,第四NMOS管M6的源极接地;第三PMOS管M9的源极接电源VCC,其栅极接外部输入信号Vin,其漏极接第一电容C1的一端,第一电容C1的另一端接电源VCC;第五NMOS管M7的漏极接第三PMOS管M9漏极与第一电容C1的连接点,第五NMOS管M7的栅极接第二PMOS管M2的漏极;第六NMOS管M8的漏极接第五NMOS管M7的源极,第六NMOS管M8的栅极接第二NMOS管M4的源极,第六NMOS管M8的源极接地;第四PMOS管M10的源极接电源,其栅极接第三PMOS管M9的漏极;第七NMOS管M11的漏极接第四PMOS管M10的漏极,第七NMOS管M11的栅极接第三PMOS管M9的漏极,第七NMOS管M11的源极接地;第五PMOS管M12的源极接电源,其栅极接第四PMOS管M10的漏极;第八NMOS管M13的漏极接第五PMOS管M12的漏极,第八NMOS管M13的栅极接第四PMOS管M10的漏极,第八NMOS管M13的源极接地;第六PMOS管M14的源极接电源,其栅极接第五PMOS管M12的漏极;第九NMOS管M15的漏极接第六PMOS管M14的漏极,第九NMOS管M15的栅极接第五PMOS管M12的漏极,第九NMOS管M15的源极接地;第六PMOS管M14漏极与第九NMOS管M15漏极的连接点为输出端输出目标信号VO1
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