[发明专利]面向物联网的有热电转换的SOI基LDMOS器件有效
| 申请号： | 201710555933.0 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107359199B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;陈友国 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211103 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种面向物联网的有热电转换的SOI基LDMOS器件，包括：在传统SOI基LDMOS的源区金属极、栅极多晶硅、漏区金属极四周，制作一层二氧化硅钝化层，以进行电隔离，同时作为制作热电偶的基准面；在二氧化硅层上，分别围绕源极、栅极和漏极布置12个由热电偶金属臂和热电偶N+型多晶硅臂组成的热电偶，并通过金属连线依次串联，形成三个热电偶模块；热电偶的一端靠近所在模块的电极，其另一端远离所在模块的电极。本发明结构简单，加工方便，节能环保，通过塞贝克效应实现废热能量回收的同时有效增强了器件的散热性能，且通过塞贝克压差可实时检测SOI基LDMOS工作时热耗散功率的大小，具有良好的经济实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 面向 联网 热电 转换 soi ldmos 器件 | ||
【主权项】：
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