[发明专利]面向物联网的有热电转换的SOI基LDMOS功率管有效
| 申请号： | 201710555934.5 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107425069B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;陈友国 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L23/34;H01L23/38 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211103 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种面向物联网的有热电转换的SOI基LDMOS功率管，包括M个集成连接的LDMOS单管以及布置于LDMOS单管上的36M个热电偶，且M个LDMOS单管的源区金属极、栅极多晶硅、漏区金属极分别通过金属连线对应相连；M个LDMOS单管上围绕源极、栅极和漏极四周布置有二氧化硅层，且二氧化硅层上分别围绕源极、栅极和漏极布置12个由热电偶金属臂和热电偶N+型多晶硅臂组成的热电偶，并通过金属连线依次串联，形成3M个热电偶模块；热电偶的一端靠近所在模块的电极，其另一端远离所在模块的电极。本发明结构简单，加工方便，节能环保，能够输出M倍于LDMOS单管的塞贝克电压，通过调整LDMOS单管的个数可以改变LDMOS功率管的输出功率、热耗散功率和塞贝克电压。 | ||
| 搜索关键词： | 面向 联网 热电 转换 soi ldmos 功率管 | ||
【主权项】：
一种面向物联网的有热电转换的SOI基LDMOS功率管，其特征在于，包括M个集成连接的LDMOS单管(14)以及布置于LDMOS单管(14)上的若干热电偶；其中，所述LDMOS单管(14)包括SOI衬底(1)及SOI衬底(1)上横向双扩散得到的P阱区(2)、N‑漂移区(3)，且P阱区(2)顶部布置有重掺杂的N+型源区(6)，N+型源区(6)上设置有源区金属极(12)；所述N‑漂移区(3)顶部远离P阱区(2)的一侧布置有重掺杂的N+型漏区(7)，且N+型漏区(7)上设置有漏区金属极(13)；所述N‑漂移区(3)上靠近P阱区(2)的一侧设置有栅极氧化层(4)，且栅极氧化层(4)上设置有栅极多晶硅(5)；M个LDMOS单管(14)的源区金属极(12)、栅极多晶硅(5)、漏区金属极(13)分别通过金属连线(10)对应相连；所述LDMOS单管(14)上围绕源区金属极(12)、栅极多晶硅(5)、漏区金属极(13)四周设置有二氧化硅钝化层(11)，且热电偶布置于二氧化硅钝化层(11)上；每个热电偶包括并列设置的热电偶金属臂(8)及热电偶N+型多晶硅臂(9)，相邻的热电偶金属臂(8)及热电偶N+型多晶硅臂(9)之间通过金属连线(10)依次串联。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710555934.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有源栅极之上的栅极触点结构及其制造方法
- 下一篇：砂子实验用快速四分法取样器
- 同类专利
- 专利分类
