[发明专利]面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件有效

专利信息
申请号: 201710556125.6 申请日: 2017-07-10
公开(公告)号: CN107359152B 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 廖小平;陈友国 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L23/38;H01L29/812
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 211103 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供的一种面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件,主要包括MESFET和热电偶。MESFET选择半绝缘的GaAs作为衬底,通过GaAs工艺和MEMS表面微机械加工实现具有能量转换功能的MESFET。在源漏栅的金层四周制作一层二氧化硅,化学机械抛光后,制作热电偶的金属Au型热电臂和砷化镓型热电臂,蒸金连接两种热电偶臂,将源漏栅的热电偶电极进行金属连线,留下两个热电偶电极作为塞贝克电压的输出极。该砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件根据塞贝克效应,可以将器件工作产生的热能转换为电能,实现能量收集的同时缓解了散热问题。通过检测输出塞贝克电压的大小来实现对热耗散功率大小的检测。
搜索关键词: 热电转换 砷化镓基 热电偶电极 热电臂 热电偶 物联网 源漏 表面微机械加工 化学机械抛光 能量转换功能 热耗散功率 塞贝克效应 二氧化硅 金属连线 能量收集 热电偶臂 热能转换 散热问题 半绝缘 砷化镓 输出极 检测 衬底 金层 蒸金 制作 金属 输出 缓解
【主权项】:
1.一种面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件,其特征是:所述MESFET器件以半绝缘的GaAs为衬底(1),在衬底(1)上设有N型GaAs导电沟道层、源区(3)、漏区(4)、源极欧姆接触金锗镍/金极(5)、漏极欧姆接触金锗镍/金极(6)、栅极肖特基接触金极(7);所述源极欧姆接触金锗镍/金极(5)、漏极欧姆接触金锗镍/金极(6)、栅极肖特基接触金极(7)的四周分别设有绝缘层(2);所述源极欧姆接触金锗镍/金极(5)、漏极欧姆接触金锗镍/金极(6)、栅极肖特基接触金极(7)四周的绝缘层(2)上分别设有若干个热电偶,热电偶之间通过金属连线(10)串联,并留下两个热电偶电极作为塞贝克电压的输出极“+”极和“‑”极;所述热电偶由金属Au型热电臂(8)和砷化镓型热电臂(9)通过金属连线(10)串联而成。
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