[发明专利]半导体功率器件及其制作方法

摘要

本发明提出了半导体功率器件及其制作方法。该制作半导体功率器件的方法包括：在衬底的一侧依次形成外延层、阱区、源区和体接触区；在外延层、阱区、源区和体接触区的远离衬底的一侧形成第一阶栅绝缘亚层；在第一阶栅绝缘亚层远离衬底的一侧形成第二阶栅绝缘亚层和第一多晶硅亚层；在第二阶栅绝缘亚层和第一多晶硅亚层的远离衬底的一侧形成第二多晶硅亚层并光刻形成栅极；其中，第二阶栅绝缘亚层是通过对第一多晶硅层进行局部高温氧化处理形成的。本发明所提出的制作方法，可逐层对多晶硅亚层进行高温氧化而获得多阶栅绝缘层结构，从而使其表面更平整而避免了刻蚀方法容易造成表面不平整或残留腐蚀剂，进而提高半导体功率器件的使用可靠性。

主权项

1.一种制作半导体功率器件的方法，其特征在于，包括：在衬底的一侧，依次形成外延层、阱区、源区和体接触区，其中，所述外延层设置在所述衬底的一侧，所述阱区以所述衬底的中心线为轴对称地设置在所述外延层远离所述衬底的一侧，所述源区和所述体接触区分别独立地以所述衬底的中心线为轴对称地设置在所述阱区远离所述衬底的一侧；在所述外延层、阱区、源区和体接触区的远离所述衬底的一侧形成第一阶栅绝缘亚层；在所述第一阶栅绝缘亚层远离所述衬底的一侧，形成第二阶栅绝缘亚层和第一多晶硅亚层；在所述第二阶栅绝缘亚层和第一多晶硅亚层的远离所述衬底的一侧，形成第二多晶硅亚层，并对所述第二多晶硅亚层和所述第一多晶硅亚层进行光刻并形成栅极；其中，所述形成第二阶栅绝缘亚层和第一多晶硅亚层的步骤进一步包括：在所述第一阶栅绝缘亚层远离所述衬底的一侧，依次形成第一多晶硅层和具有图案化的保护层；对所述第一多晶硅层的未被所述保护层保护的区域进行高温氧化处理，以便获得第二阶栅绝缘亚层和第一多晶硅亚层；以及去除所述保护层。