[发明专利]等离子体蚀刻机的移动聚焦环方法及其装置在审
| 申请号： | 201710557004.3 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108122748A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 林育奇;林进兴;张宏睿;邱意为 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体制造方法及实施该方法的半导体制造装置。该半导体制造装置包括：等离子体反应室，安置平台设置于该等离子体反应室内；聚焦环，设置于该等离子体反应室内；以及至少一致动器，机械地连接聚焦环并设置成可垂直移动聚焦环。此致动器设置成当等离子体出现于等离子体反应室时可垂直移动聚焦环。本公开提供的半导体制造方法可于蚀刻制程动态控制蚀刻制程的蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦环 半导体制造装置 等离子体反应室 等离子体反应 半导体制造 蚀刻制程 等离子体 等离子体蚀刻机 蚀刻 室内 动态控制 平台设置 移动聚焦 地连接 安置 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，包括：放置一晶圆于一等离子体反应室内；移动一聚焦环于该等离子体反应室内，自相对于该晶圆的一第一垂直位置至相对于该晶圆的一第二垂直位置，其中该第一垂直位置及该第二垂直位置为不同的等离子体蚀刻位置；以及形成一等离子体于该等离子体反应室内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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