[发明专利]含有铁电栅介质的叠层栅增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201710558126.4 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107369704B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;陈丽香;祝杰杰;杨凌;刘捷龙 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种含有铁电栅介质的叠层栅增强型GaN高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件可靠性差的问题。其自下而上包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层、SiN钝化层、栅介质层和SiN保护层，SiN钝化层中设有凹型结构，凹型结构内壁及SiN钝化层表面设有栅介质层，其包括AlN或Al |
||
| 搜索关键词： | 含有 铁电栅 介质 叠层栅 增强 gan 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含有铁电栅介质的叠层栅增强型GaN高电子迁移率晶体管，其自下而上包括衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlN插入层(4)、AlGaN势垒层(5)、GaN帽层(6)和SiN钝化层(7)，GaN缓冲层(3)上的两端设有源电极(10)和漏电极(11)，源电极(10)和漏电极(11)上设有金属互联层(13)，SiN钝化层(7)中设有凹型结构，凹型结构内壁及SiN钝化层(7)表面设有栅介质层(8)，凹型栅介质层上设有栅电极(12)，栅电极(12)和钝化层(7)表面的栅介质层(8)上覆盖有SiN钝化层(9)，其特征在于：所述栅介质层(8)采用由介质插入层(81)和铁电层(82)组成的叠层结构，该介质插入层(81)采用AlN或Al2O3材料，铁电层(82)采用HfZrO材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710558126.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种OLED显示面板及其制作方法
- 下一篇：一种便携式可打印的心电图机
- 同类专利
- 专利分类
