[发明专利]一种超快恢复低成本二极管及其制作工艺在审
| 申请号： | 201710558299.6 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109244144A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张淑云 | 申请（专利权）人： | 天津天物金佰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/12;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300380 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超快恢复低成本二极管及其制作工艺，包括单晶研磨片、硼扩散层和磷扩散层，所述单晶研磨片上端面设置有所述硼扩散层，所述单晶研磨片的背面为所述磷扩散层，所述硼扩散层和所述磷扩散层之间形成基区。本发明的有益效果是大大提高了二极管的生产效率，并且为企业大大节省了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 磷扩散层 硼扩散层 研磨片 单晶 制作工艺 低成本 生产效率 上端面 基区 生产成本 背面 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种超快恢复低成本二极管及其制作工艺，包括单晶研磨片、硼扩散层和磷扩散层，其特征在于：所述单晶研磨片上端面设置有所述硼扩散层，所述单晶研磨片的背面为所述磷扩散层，所述硼扩散层和所述磷扩散层之间形成基区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津天物金佰微电子有限公司，未经天津天物金佰微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710558299.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
