[发明专利]一种基准电压生成电路在审
| 申请号： | 201710558372.X | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107153441A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 谭小英;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基准电压生成电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括耗尽型NMOS晶体管N1和增强型NMOS晶体管N2；耗尽型NMOS晶体管N1的漏极接电源，栅极和源极接输出端VREF；增强型NMOS晶体管N2的源极接地，栅极和漏极接输出端VREF。本发明的基准电压生成电路通过一个耗尽型晶体管和一个增强型晶体管就得以实现。相比于传统的基准电压生成电路，具有结构简单、面积小、功耗低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电压 生成 电路 | ||
【主权项】：
一种基准电压生成电路，其特征在于，包括：耗尽型NMOS晶体管N1和增强型NMOS晶体管N2；耗尽型NMOS晶体管N1的漏极接电源，栅极和源极接输出端VREF；增强型NMOS晶体管N2的源极接地，栅极和漏极接输出端VREF。
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