[发明专利]电阻式随机存取存储器装置在审
| 申请号： | 201710558990.4 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107644935A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 邹宗成;池育德;朱文定 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例是有关电阻式随机存取存储器装置。本揭露涉及一种存储器架构，其包含第一存储器宏，其包含第一多个存储器单元；第二存储器宏，其包含第二多个存储器单元；及控制逻辑，其耦合到所述第一存储器宏及所述第二存储器宏。所述控制逻辑经配置以通过分别使用第一信号电平及第二信号电平而将逻辑状态写入到所述第一多个存储器单元及所述第二多个存储器单元中的各者，由此引起所述第一存储器宏及所述第二存储器宏分别用于第一应用及第二应用中，所述第一信号电平与所述第二信号电平不同且所述第一应用与所述第二应用不同。所述第一存储器宏及所述第二存储器宏形成于单一芯片上，且其中所述第一多个所述存储器单元及所述第二多个所述存储器单元包含使用单一工艺配方形成的可变电阻介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器架构，其包含：第一存储器宏，其包含第一多个存储器单元；第二存储器宏，其包含第二多个存储器单元；以及控制逻辑，其耦合到所述第一存储器宏及所述第二存储器宏，且经配置以通过分别使用第一信号电平及第二信号电平而将逻辑状态写入到所述第一多个存储器单元及所述第二多个存储器单元中的各者，由此引起所述第一存储器宏及所述第二存储器宏分别用于第一应用及第二应用中，所述第一信号电平与所述第二信号电平不同且所述第一应用与所述第二应用不同，其中所述第一存储器宏及所述第二存储器宏形成于单一芯片上，且其中所述第一多个所述存储器单元及所述第二多个所述存储器单元包含使用单一工艺配方形成的可变电阻介电层。
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