[发明专利]图形化生长量子点的方法在审
| 申请号： | 201710560071.0 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107424914A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 石震武;杨琳韵;霍大云;邓长威;陈晨;彭长四 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C09K11/75;C09K11/66;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人： | 李广 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图形化生长量子点的方法，包括以下步骤a.应变基底的生长；b.原位引入激励源，利用激励源产生周期性的温度场去诱导应变基底的应力进行图形化调制释放，从而原位实现具有纳米周期性分布的应力场的应力结构；c.基于纳米周期性分布的应力场的耦合诱导，在应力结构上生长相应的周期性量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 化生 量子 方法 | ||
【主权项】：
一种图形化生长量子点的方法，其特征在于：包括以下步骤：a.应变基底的生长；b.原位引入激励源，利用激励源产生周期性的温度场去诱导所述应变基底的应力进行图形化调制释放，从而原位实现具有纳米周期性分布的应力场的应力结构；c.基于所述纳米周期性分布的应力场的耦合诱导，在所述应力结构上生长相应的周期性量子点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
