[发明专利]一种基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器有效

专利信息
申请号: 201710560422.8 申请日: 2017-07-11
公开(公告)号: CN107449955B 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 王文;贾雅娜 申请(专利权)人: 中国科学院声学研究所
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 陈琳琳;武玥
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器,所述声表面波电流传感器包括:压电基片(22)、感知延迟线(21)、参考延迟线(23)和SiO2薄膜(212),所述感知延迟线(21)和参考延迟线(23)平行且同向,设置于压电基片(22)上;所述感知延迟线(21)和参考延迟线(23)的结构相同;所述SiO2薄膜(212)沉积于感知延迟线(21)和参考延迟线(23)的表面上,所述图形化磁致伸缩薄膜设置在所述SiO2薄膜(212)表面上,在所述感知延迟线(21)的传播路径上。本发明电流传感器通过采用一种平行且同向设置的双延迟线型结构,并将磁致伸缩薄膜材料进行图形化以提升传感器检测灵敏度、一致性与稳定性。
搜索关键词: 一种 基于 图形 化磁致 伸缩 薄膜 表面波 电流传感器
【主权项】:
一种基于图形化磁致伸缩薄膜的声表面波电流传感器,所述声表面波电流传感器包括:压电基片(22)、感知延迟线(21)、参考延迟线(23)和SiO2薄膜(212),其特征在于,所述感知延迟线(21)和参考延迟线(23)平行且同向,设置于压电基片(22)上;所述感知延迟线(21)和参考延迟线(23)的结构相同;所述SiO2薄膜(212)沉积于感知延迟线(21)和参考延迟线(23)的表面上,所述图形化磁致伸缩薄膜设置在所述SiO2薄膜(212)表面上,在所述感知延迟线(21)的传播路径上。
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