[发明专利]金属掺杂的纳米晶及其制备方法、QLED器件在审
| 申请号： | 201710560567.8 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN109244201A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/18;H01L33/28;H01L33/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开金属掺杂的纳米晶及其制备方法、QLED器件。包括：将阳离子前躯体盐溶液与掺杂金属醋酸盐溶液混合，继续添加还原性无机盐，随后向混合液中添加无机卤盐，接着再向混合液中添加非离子型高分子化合物，得到前躯液；将阴离子前躯体盐溶液加入到前躯液中，然后通过离心分离、清洗沉淀，得到金属掺杂的纳米晶。本发明通过上述方法，能够制备得到卤素钝化的金属掺纳米晶，制备得到的纳米晶具有好的荧光强度以及光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米晶 制备 金属掺杂 混合液 前躯体 盐溶液 前躯 非离子型高分子化合物 还原性无机盐 醋酸盐溶液 掺杂金属 光电性能 阳离子 阴离子 荧光 钝化 卤盐 沉淀 清洗 金属 | ||
【主权项】：
1.一种金属掺杂的纳米晶的制备方法，其特征在于，包括：提供一种含掺杂金属的阳离子前驱液，所述含掺杂金属的阳离子前驱液包括由阳离子前驱体盐溶液、金属醋酸盐溶液、还原性无机盐、无机卤盐混合制备得到；提供一种阴离子前驱体盐溶液；将所述阴离子前驱体盐溶液加入到所述含掺杂金属的阳离子前驱液中进行晶体生长，制备得到所述金属掺杂的纳米晶。
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