[发明专利]一种石墨烯薄膜的制备方法在审
申请号: | 201710561586.2 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN107217240A | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 李留臣;周正星;蒲红斌 | 申请(专利权)人: | 江苏星特亮科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/44;C23C16/54 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人: | 孙仿卫 |
地址: | 215627 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种石墨烯薄膜的制备方法,通过使石墨烯箔带中产生电流,在电流的作用下促进石墨烯薄膜的优化生长;解决了现有技术存在的石墨烯薄膜生长速度慢、成膜不均匀、工艺气体浪费大等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)设置真空腔体;(2)在所述真空腔体内设置用于传送石墨烯箔带的传送机构,设置使得所述传送机构包括设于所述石墨烯箔带传送始端的第一传送组件、设于所述石墨烯箔带传送末端的第二传送组件;其中,所述第一传送组件和所述第二传送组件均具有导电性;(3)在所述真空腔体内设置位于所述第一传送组件和所述第二传送组件之间的用于对所述石墨烯箔带加热的加热机构;(4)在所述真空腔体内设置用于对进入所述加热机构中的石墨烯箔带输送用于配合的生长石墨烯薄膜的工艺气体的输气机构;(5)设置电源组件,使得所述第一传送组件与所述电源组件的正极或负极导通,并使得所述第二传送组件与所述电源组件的负极或正极导通;(6)开启所述传送机构、所述加热机构、所述输气机构、所述电源组件,使得所述石墨烯箔带在所述真空腔体中生长形成所述石墨烯薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏星特亮科技有限公司,未经江苏星特亮科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710561586.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种在线信息交换的管理方法及系统
- 下一篇:地铁车载广播系统主控热备方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的