[发明专利]一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法

摘要

本发明提供一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法。本发明提供的钙钛矿复合多量子阱LED包括依次设置的衬底、电子注入层、发光层、空穴注入层和电极，所述发光层包括CH₃NH₃PbBr₃薄膜和镶嵌于所述CH₃NH₃PbBr₃薄膜中的CH₃NH₃PbI₃量子点。本发明将较宽带隙的钙钛矿连续相CH₃NH₃PbBr₃薄膜中镶嵌较窄带隙的钙钛矿量子点CH₃NH₃PbI₃，由于钙钛矿的高电子、空穴迁移率和载流子扩散长度，加上量子点的量子效应和二者形成的多量子阱，载流子源源不断地优先导向低势垒的量子阱复合发光；另外，不同组分的钙钛矿间晶格匹配较好，相比其他量子阱结构界面缺陷少，有效减少非辐射复合中心。

主权项

1.一种钙钛矿复合多量子阱LED，包括依次设置的衬底、电子注入层、发光层、空穴注入层和电极，所述发光层包括钙钛矿CH3NH3PbBr3薄膜和镶嵌于所述CH3NH3PbBr3薄膜中的钙钛矿CH3NH3PbI3量子点，所述CH3NH3PbBr3薄膜包括沿薄膜表面横向排列的晶粒，所述晶粒的横向尺寸为300～600nm。