[发明专利]一种改善栅源寄生效应的功率放大器有效
| 申请号： | 201710563660.4 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107453713B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 程知群;徐雷;冯瀚;刘国华;董志华;陈瑾 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/26;H03F1/56;H03F3/193;H03F3/21 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 姚海波 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善栅源寄生效应的功率放大器，包括输入匹配电路、栅源寄生补偿电路、输出匹配电路和偏置电路，其中，栅源寄生补偿电路用于补偿GaN HEMT自身的栅源寄生效应，使得栅源寄生效应对电路的影响达到最小。相对于现有技术，本发明通过改善GaN HEMT栅源寄生效应的方法来设计功率放大器，减少由于栅源寄生效应产生的输入谐波对于功率放大器的影响，提高整体电路的输出功率和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 寄生 效应 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种改善栅源寄生效应的功率放大器，其特征在于，包括输入匹配电路、GaN HEMT功放管、输出匹配电路、偏置电路和栅源寄生补偿电路，其中，所述栅源寄生补偿电路串接在输入匹配电路和GaN HEMT功放管之间，用于补偿栅源寄生效应；所述栅源寄生补偿电路采用微带线结构，包括第一微带线TL1、第二微带线TL2和第三微带线TL3，其中，所述第三微带线TL3的一端与所述输入匹配网络的输出端相连接，所述第三微带线TL3的另一端与第一微带线TL1的一端和第二微带线TL2的一端相连接，所述第一微带线TL1的另一端与GaN HEMT功放管的栅极相连接，并与偏置电路相连接；所述第二微带线TL2的另一端开路。
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