[发明专利]第三代半导体偏置电路一体化设计在审
| 申请号： | 201710563693.9 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107395143A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘建波 | 申请（专利权）人： | 南京正銮电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/213 | 分类号： | H03F3/213;H03F3/21 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市和*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了第三代半导体偏置电路一体化设计，涉及微波射频领域，采用单电源供电，只加漏压，将输入端的射频信号耦合出来，将其快速检波成相应的波形形式，来控制其功率管的漏极电压。本发明包括定向耦合器、功率放大器、稳压块、检波器、电位器、调制器；外电源供电至稳压块和调制器，稳压块分别检波器和调制器连接，并且分出栅极电压连接至功率放大器的输入端；检波器连接稳压块、调制器、电位器和负载；调制器分出漏极电压连接至功率放大器的输出端；射频输入至定向耦合器的输入端，功率放大器的输入端分别连接定向耦合器的输出端和栅极电压。此方法即可实现不同应用场合的需求(包括连续波或脉冲情况)，又可保证功率管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 第三代 半导体 偏置 电路 一体化 设计 | ||
【主权项】：
第三代半导体偏置电路一体化设计，其特征在于，包括：定向耦合器、功率放大器、稳压块、检波器、电位器、调制器、负载；外电源供电至所述稳压块和所述调制器，所述稳压块分别与所述检波器和所述调制器连接，并且分出栅极电压连接至所述功率放大器的输入端；所述检波器分别与所述稳压块、所述调制器连接，同时连接所述电位器和所述负载；所述调制器分出漏极电压连接至功率放大器的输出端；射频输入至所述定向耦合器的输入端，所述功率放大器的输入端分别连接所述定向耦合器的输出端和栅极电压。
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