[发明专利]提高铟砷/镓锑超晶格红外探测器材料截止波长的方法及铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格及其应用有效
| 申请号： | 201710563810.1 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107393982B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 曹耀辉;陈建桥 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛博硕光电设备股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/0368;H01L31/111 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 赵俊宏 |
| 地址： | 066000 河北省秦*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是针对现有技术由于铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格的晶内界面多，使得材料的生长难度提高，材料的生长成本高、生产设备寿命低的不足，提供一种提高铟砷/镓锑超晶格红外探测器材料截止波长的方法及铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格材料及其应用，这种提高铟砷/镓锑超晶格红外探测器材料截止波长的方法，通过增加所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格单胞中InSb层的应力，改变超晶格材料的能带结构，增加所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格红外探测器材料截止波长，采用本发明方法，可以改变能带结构增加超晶格红外探测材料的截止波长，得到的铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格材料制成的器件具有更高的探测率，减少了材料界面数量，减少了层级，且进一步提高了铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格材料的探测波长和探测率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 镓锑超 晶格 红外探测器 材料 截止 波长 方法 镓锑 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种提高铟砷/镓锑超晶格红外探测器材料截止波长的方法，其特征在于，通过增加所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格单胞中InSb层的应力，改变超晶格材料的能带结构，增加所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格红外探测器材料截止波长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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