[发明专利]一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法有效
| 申请号： | 201710564625.4 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107248494B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张欣 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法。所述适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法包括：在宽尺寸沟槽进行第一次多晶硅填充，形成第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层表面进行氧化处理，形成二氧化硅层；分别对所述二氧化硅层和所述第一多晶硅层进行回刻处理；将所述宽尺寸沟槽内部的二氧化硅层去除，其中所述宽尺寸沟槽内部填充的第一多晶硅层使得所述宽尺寸沟槽的有效宽度变窄；在所述宽尺寸沟槽进行第二次多晶硅填充，并形成所述第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行回刻处理，以去除所述宽尺寸沟槽以外的第二多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 尺寸 沟槽 多晶 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法，其特征在于，包括：在宽尺寸沟槽进行第一次多晶硅填充，形成第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层表面进行氧化处理，形成二氧化硅层；分别对所述二氧化硅层和所述第一多晶硅层进行回刻处理；将所述宽尺寸沟槽内部的二氧化硅层去除，其中所述宽尺寸沟槽内部填充的第一多晶硅层使得所述宽尺寸沟槽的有效宽度变窄；在所述宽尺寸沟槽进行第二次多晶硅填充，并形成所述第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行回刻处理，以去除所述宽尺寸沟槽以外的第二多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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