[发明专利]在漂移体积中具有p层的n沟道双极型功率半导体器件

摘要

本发明涉及在漂移体积中具有p层的n沟道双极型功率半导体器件。一种功率半导体器件，具有半导体本体，所述半导体本体被配置为在第一负载端子与第二负载端子之间传导负载电流，包括：源极区，其具有第一导电类型的掺杂剂并被电连接到所述第一负载端子；半导体沟道区，其在所述半导体本体中实施并具有第二导电类型的掺杂剂，并且将所述源极区与所述半导体本体的剩余部分分离；第一沟槽类型的沟槽，其在所述半导体本体中沿着延伸方向延伸并被布置为邻近所述半导体沟道区，第一沟槽类型的所述沟槽包括通过绝缘体与所述半导体本体绝缘的控制电极，其中所述控制电极被配置为对所述半导体沟道区中的负载电流的路径进行控制。

主权项

一种双极型功率半导体器件（1），具有半导体本体（10），所述半导体本体（10）被配置为在所述功率半导体器件（1）的第一负载端子（11）与第二负载端子（12）之间传导负载电流，所述双极型功率半导体器件（1）进一步包括：‑ 源极区（101），其是第一导电类型的并被电连接到所述第一负载端子（11）；‑ 半导体沟道区（102），其在所述半导体本体（10）中实施并具有第二导电类型，并且将所述源极区（101）与所述半导体本体（10）的剩余部分（103）分离；‑ 第一沟槽类型的沟槽（13），其在所述半导体本体（10）中沿着延伸方向（Z）延伸并被布置为邻近所述半导体沟道区（102），第一沟槽类型的所述沟槽（13）包括通过绝缘体（132）与所述半导体本体（10）绝缘的控制电极（131），其中，所述控制电极（131）被配置为对所述半导体沟道区（102）中的负载电流的路径进行控制；‑ 至少一个第二导电类型的发射极区（108），其在所述半导体本体（10）中实施并被电连接到所述第二负载端子（12），其中，所述半导体本体（10）进一步包括：‑ 第一导电类型的阻挡区（103）；以及‑ 漂移体积，其至少具有第二导电类型的第一漂移区（104），其中，所述阻挡区（103）将所述第一漂移区（104）与所述半导体沟道区（102）耦合；‑ 第一导电类型的缓冲区（107），其被布置于在一侧的所述半导体本体（10）的所述漂移体积与在另一侧的所述发射极区（108）之间，‑ 其中，所述第一漂移区（104）具有沿着所述延伸方向（Z）的总延伸（DZ4），所述总延伸（DZ4）为所述半导体本体（10）沿着所述延伸方向（Z）的总延伸的至少5%。